高エネルギー電子分析器 (High-Energy Electron Experiments, HEP)
計測原理
ピンホールと固体検出器を用いたピンホールカメラであり、検出器としては片面シリコンストリップ半導体検出器をもちいて、1次元の位置分解を行い、 入射口と検出器の位置で決まる視野角60度内を分解し、12度ごとのデータを生成する。MeV電子まで計測するために、薄いシリコン半導体を積層して、 各層でエネルギー計測を実施し、積算することによりエネルギーを計測する。
担当者
- 研究代表者 (PI)
- 三谷 烈史 (JAXA)
- Co-PI
- 高島 健 (JAXA)
- 笠原 慧 (東大)
基本スペック・計測物理量
HEP-L
- エネルギー範囲: 70keV to 1 MeV
- エネルギー分解能: 10% @100keV
- 生成データ: 16 (energy) × 15 (elevation) × 16 (azimuthal)
- センサー視野: 10° (azimuth) × 180 °
- gファクター: 0.0012 cm2 sr
- 時間分解能: 8 s for one spin
HEP-H
- エネルギー範囲: 0.7 ~ 2 MeV
- エネルギー分解能: 10% @2MeV
- 生成データ: 16 (energy) × 15 (elevation) × 16 (azimuthal)
- センサー視野: 10° (azimuth) × 180 °
- gファクター: 0.012 cm2 sr
- 時間分解能: 8 s for one spin