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高エネルギー電子分析器
(High-Energy Electron Experiments, HEP)

HEP

計測原理

ピンホールと固体検出器を用いたピンホールカメラであり、検出器としては片面シリコンストリップ半導体検出器をもちいて、1次元の位置分解を行い、 入射口と検出器の位置で決まる視野角60度内を分解し、12度ごとのデータを生成する。MeV電子まで計測するために、薄いシリコン半導体を積層して、 各層でエネルギー計測を実施し、積算することによりエネルギーを計測する。

担当者

研究代表者 (PI)
三谷 烈史 (JAXA)
Co-PI
高島 健 (JAXA)
笠原 慧 (東大)

基本スペック・計測物理量

HEP-L

  • エネルギー範囲: 70keV to 1 MeV
  • エネルギー分解能: 10% @100keV
  • 生成データ: 16 (energy) × 15 (elevation) × 16 (azimuthal)
  • センサー視野: 10° (azimuth) × 180 °
  • gファクター: 0.0012 cm2 sr
  • 時間分解能: 8 s for one spin

HEP-H

  • エネルギー範囲: 0.7 ~ 2 MeV
  • エネルギー分解能: 10% @2MeV
  • 生成データ: 16 (energy) × 15 (elevation) × 16 (azimuthal)
  • センサー視野: 10° (azimuth) × 180 °
  • gファクター: 0.012 cm2 sr
  • 時間分解能: 8 s for one spin